​Mini LED倒裝芯片（piàn）的封裝焊（hàn）接方式及焊接材料簡述

目前常規Mini LED結構都是采用倒裝芯片（piàn）封裝結構（gòu），芯片（piàn）尺寸在100~200um之間，受到芯片及電極間隔尺寸的限製，芯片的焊盤尺寸較小。同時為（wéi）克服分立器件尺寸對點（diǎn）間距限製，Mini LED大多采用集成封（fēng）裝（COB）方（fāng）式進行，其對作業過程中（zhōng）的穩定性一致性等要求較高，因此在封裝過程中實現穩定可靠的芯（xīn）片與基板（bǎn）的焊接是Mini LED應用過程最重要的環節之一。目前針對倒（dǎo）裝LED芯片焊接，常規方式是回流焊及共晶焊兩種方式，其封裝焊接方式主要用以下三種：。

一．常規回流焊方式：

封裝過程中通過（guò）專（zhuān）用的（de）Mini LED固晶錫膏固定方式進行，對（duì）應芯（xīn）片電極焊（hàn）盤表麵為Au結構，具體需要在基板對應焊盤位置點或印刷固晶錫膏，再固定芯片，然後再按照一定的溫度（dù）曲線，通過回流焊爐進行高溫（wēn）固化，固晶錫膏合金的選擇決定了（le）固化所需要的溫度，通常會在180~260℃之間進行選擇，溫度相對較（jiào）低，與芯片製程溫度基本一致，對芯片結構影響較小，同時（shí）由於（yú）Mini LED芯片（piàn）及焊盤尺（chǐ）寸較小，錫膏使用量及位置準確度極為（wéi）重要，，通常錫膏需選（xuǎn）用專用的（de）6號及7號的（de）細粉固晶錫膏，同時因上錫工藝（yì）的不同，需要選擇對應的（de）點塗或印刷錫膏，與此同時芯片電極焊盤對錫膏的適應性也較為重要，若防護不足，極易發生（shēng）電極侵蝕而脫落情況（kuàng）。

二、共晶焊（hàn）方式：

封裝過程中通過共晶助焊劑固定方式進行，對應芯片電極（jí）焊盤表麵為AuSn結構，需要（yào）在基（jī）板對應焊盤位置點專用的（de）共晶助（zhù）焊劑，再（zài）固定芯片，然後再按照一（yī）定的溫度曲線進行高溫固化（huà），共晶（jīng）過程中由於AuSn材料（liào）本身共晶溫（wēn）度限製，通常最高溫度在320℃左右，對芯片結構及輔材（cái）等高溫的（de）穩定要求（qiú）較高，但其避免了小尺度下錫膏控製的問題（tí）。

三、預上錫回流焊工藝：

在以上兩（liǎng）種方式之外，另一種目前在IC集成封裝工藝中用到的預上錫工藝，則集合了以上兩種方式的優點（diǎn），對應芯片電極焊盤表（biǎo）麵（miàn）采（cǎi）用Sn結構，需要在基（jī）板對應焊盤位置點Mini LED助焊劑，再固定芯片，然後按照一定的溫度（dù）曲線進行（háng）高溫固化，回流（liú）焊（hàn）的溫度與常規回流焊類似，芯片電極焊盤表麵SnAg成份決定（dìng）了固化所使用的溫度，目前常用溫度在240℃左右，該方式（shì）一方麵避免了固（gù）晶錫膏情況下的（de）精準控（kòng）製問題，另一方麵（miàn）固化溫（wēn）度也在（zài）相對（duì）較低位置，但芯片製程相對複雜，同時芯（xīn）片結構對最終效果影響較大。同（tóng）時封裝時對助焊劑的選擇也比較重要，要求助焊劑粘度適中，能夠粘住芯片在回流焊（hàn）接過程中不飛芯片，不發幹不揮發。